51探花

　东北大学原子分子材料科学高等研究机构の水上成美助教、宫﨑照宣教授らは、同工学研究科の佐久间昭正教授、ならびに安藤康夫教授らとの共同研究により、大きな垂直磁気异方性と低い磁気摩擦を併せ持つ薄膜材料を発见しました。これは、ギガビット级磁気抵抗ランダムアクセスメモリ（惭搁础惭）の材料开発を大きく前进させる成果です。

　不挥発性メモリとして注目されている惭搁础惭では、记忆素子としてトンネル磁気抵抗素子を用います。ギガビット级惭搁础惭では、素子サイズが数十ナノメートルと小さくなり、热によるスピンの揺らぎが大きくなるため、高磁気异方性を示す垂直磁化膜が用いられます。しかしながら高磁気异方性を有する垂直磁化膜では、スピンが高速反転する际に働く磁気摩擦が大きくなる倾向があり、情报の书き込み（スピンの反転）に必要な电気量が大きくなるため、高磁気异方性と低磁気摩擦を併せもつ磁性材料の探索およびその物理的机构の解明が望まれています。

　本研究では、単体では磁石にならない元素であるマンガンとガリウムを组み合わせた高磁気异方性マンガンガリウム合金の薄膜に着目しました。超短パルスレーザーを用いて最大约280ギガヘルツのスピンの振动の実时间観测に成功し、低磁気摩擦特性を示すことを発见しました。この结果は理论计算によっても支持され、高磁気异方性と低磁気摩擦の両立が可能であることを実験と理论の両面から実証すると同时に、希土类?贵金属フリーであるマンガンガリウム合金がギガビット级惭搁础惭のためのグリーンマテリアルになる可能性を示しています。

　本研究はゲッチンゲン大学と共同で実施され、3月18日(米国時間)に米国物理学会「Physical Review Letters（フィジカルレビューレターズ）」に掲載されました。

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＜お问い合わせ先＞

水上成美 （ミズカミ　シゲミ）

東北大学原子分子材料科学高等研究機構 助教

〒980-8577 宮城県仙台市青葉区片平2−1−1

Tel: 022-217-6003 Fax: 022-217-6003

E-mail: mizukami*wpi-aimr.tohoku.ac.jp (*を@に置き換えてください）

宮﨑　照宣 （ミヤザキ　テルノブ）

東北大学原子分子材料科学高等研究機構 教授

〒980-8577 宮城県仙台市青葉区片平2−1−1

Tel: 022-217-6000 Fax: 022-217-6003

E-mail: miyazaki*wpi-aimr.tohoku.ac.jp （*を@に置き換えてください）