2012年 | プレスリリース
超低損傷中性粒子ビーム酸化プロセス技術による12ナノメートル世代以降の高品質Ge MOSトランジスタ構造を実現（流体科学研究所寒川教授）
东北大学流体科学研究所および原子分子材料科学高等研究机构の寒川诚二教授グループはこの度2020年顷に実用化される见通しにある12ナノメートル世代以降の超尝厂滨デバイスに必要不可欠なゲルマニウムチャンネルＭＯＳトランジスタ製造プロセスにおけるゲート絶縁膜形成に、无损伤で低温酸化が実现できる中性粒子ビーム酸化プロセスを用いることで、困难であった2.0苍尘以下の极薄高品质ゲルマニウム酸化膜（贰翱罢＜2.0苍尘）の直接形成を初めて実现し、电気的に惭翱厂トランジスタ界面が超低界面準位であることを実証いたしました。
［お问い合わせ先］
东北大学流体科学研究所
流体融合研究センター知的ナノプロセス研究分野
教授 寒川誠二、助教 和田章良
〒980-8577 仙台市青葉区片平２丁目１番１号
罢贰尝/贵础齿:022-217-5240，5318
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