2012年 | プレスリリース
わずか数原子层の金属膜で电気的磁化操作効率を制御-极薄磁性膜を用いた不挥発性メモリ?演算素子技术への展开に期待-
独立行政法人物质?材料研究机构(理事長:潮田 資勝)磁性材料ユニットの林 将光主任研究員らの研究グループは、国立大学法人東北大学省エネルギー?スピントロニクス集積化システムセンター、電気通信研究所及び、原子分子材料科学高等研究機構の大野 英男教授らと共同で、極薄の強磁性金属層を非磁性金属層と酸化物層で挟んだ磁性ナノヘテロ接合において、非磁性金属層の膜厚をわずか数原子層程度変化させるだけで、強磁性金属層における磁化方向の電気的制御効率を大きく変えられることを見出しました。
本件に関するお问い合わせ先
(研究内容に関すること)
独立行政法人物质?材料研究机构 磁性材料ユニットスピントロニクスグループ
主任研究员 林 将光(はやしまさみつ)
E-mail: hayashi.masamitsu*nims.go.jp (* を@に置き換えて下さい)
TEL: 029-859-2136
URL: http://www.nims.go.jp/apfim/spin/indexj.html
(最先端研究开発支援プログラム「省エネルギー?スピントロニクス论理集积回路の研究开発」の事业に関すること)
东北大学 省エネルギー?スピントロニクス集积化システムセンター支援室
室长 门脇 豊(かどわき ゆたか)
〒980-8577仙台市青叶区片平2-1-1
E-mail: yut-kado*riec.tohoku.ac.jp (* を@に置き換えて下さい)
TEL: 022-217-6116、FAX: 022-217-6117
(报道担当)
独立行政法人物质?材料研究机构
企画部门 広报室
〒305-0047 茨城県つくば市千现1-2-1
TEL: 029-859-2026、FAX: 029-859-2017
