2016年 | プレスリリース?研究成果
新構造磁気メモリ素子を開発 ～スピン軌道トルク磁化反転の第3の方式の動作を実証～
内閣府 総合科学技術?イノベーション会議が主導する革新的研究開発推進プログラム（ImPACT）の佐橋政司プログラム?マネージャーの研究開発プログラム、および文部科学省「未来社会実現のためのICT基盤技術の研究開発」の一環として、東北大学電気通信研究所の大野英男教授（同大学省エネルギー?スピントロニクス集積化システムセンター（以下、CSIS）?センター長、国際集積エレクトロニクス研究開発センター（以下、CIES）?教授、原子分子材料科学高等研究機構?主任研究者兼任）、電気通信研究所の深見俊輔准教授（CSIS, CIES?准教授兼任）らは、超高速動作が可能な新方式の磁気メモリ素子を開発し、その動作実証に成功しました。
本研究成果は、2016年3月21日（英国時間）に英国科学誌「Nature Nanotechnology」のオンライン速報版で公開されました。
３種類のスピン軌道トルク磁化反転素子の構造。(a),(b): 既存構造。(c): 本研究で示されている新構造 595_194
问い合わせ先
＜研究に関すること＞
深見 俊輔（フカミ シュンスケ）
東北大学 省エネルギー?スピントロニクス集積化システムセンター
罢别濒：022-217-5555
贵补虫：022-217-5555
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＜报道担当＞
東北大学 電気通信研究所 総務係
罢别濒：022-217-5420
贵补虫：022-217-5420
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