51探花

単位メモリセル面积30%の低减と70%の歩留まり向上（対従来比）を同时に実现

　国立大学法人东北大学国际集积エレクトロニクス研究开発センターの遠藤哲郎センター長（兼 同大学大学院工学研究科教授）のグループは、磁気トンネル接合素子（Magnetic Tunnel Junction, MTJ）と相補型金属酸化膜半導体（Complementary Metal Oxide Semiconductor, CMOS）電界効果トランジスタとを接続するコンタクトホールの直上に、性能劣化なく磁気接合素子を成膜する技術の開発に世界で初めて成功いたしました。

　今回の成功は、新たに设计?试作した2メガビット（2百万ビット）スピン?トランスファー?トルク型磁気ランダムアクセスメモリ（厂罢罢-惭搁础惭）に、上记の新开発技术を适用して行った実験にて、従来比70%以上の歩留まり率向上を実証することで确认されました。本技术は、厂罢罢-惭搁础惭の単位メモリセル面积を30%缩小させ、商品化を大きく促进させる成果です。

　今回の开発の成功は、东北大学国际集积エレクトロニクス研究开発センターで推进している颁滨贰厂コンソーシアム事业での材料技术、プロセス技术、および回路设计?评価技术にいたる、集积エレクトロニクス分野における上流から下流までの一贯した开発体制によるものです。

コンタクト直上MTJ成膜技術の集積回路レベルでの実証のために設計?試作された 2-Mbit STT-MRAM チップ写真

详细（プレスリリース本文）

问い合わせ先

东北大学国际集积エレクトロニクス研究开発センター
支援室长　门脇豊
电话：022-796-3410　
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东北大学国际集积エレクトロニクス研究开発センター戦略企画部門
部门长　大嶋洋一
电话：022-796-3406
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