51探花

东京工业大学元素戦略研究センターの清水荘雄特任助教と物质理工学院兼同センターの舟洼浩教授、东北大学金属材料研究所の今野豊彦教授と木口贤纪准教授、物质?材料研究机构　技术开発?共用部门坂田修身ステーション长らの研究グループは、スマホやパソコンのトランジスタ（スイッチ）に使われている酸化ハフニウムを基本组成とした、强诱电体の电源を切った时に贮められる电気の量や、使用可能な温度范囲といった基础特性を解明しました。
　结晶方位を制御した単结晶薄膜を电极上に作製することにより、これまで明らかになっていなかった特性の解明に成功しました。その结果、酸化ハフニウム基の强诱电体が従来使用されてきた强诱电体に匹敌する特性を有することが明らかになりました。强诱电体を用いたメモリーは、交通机関の定期券等に使用されている非接触式滨颁カード（电子マネー）として実用化されています。今回の成果によって明らかになった优れた特性と、これまでの物质では不可能であった薄膜化しても特性が劣化しない特性を活用すれば、メモリーの飞跃的な高密度化が期待できます。
　今回の研究成果はネイチャー誌の姉妹誌である学術誌「サイエンティフィックレポート（Scientific Reports）」オンライン版に9月9日付で掲載されました。

结晶构造の温度変化

详细（プレスリリース本文）

问い合わせ先

〈研究に関すること〉
东北大学　金属材料研究所　
教授 今野　豊彦
Tel: 022-215-2125　Fax: 022-215-2126
E-mail: tjkonno*imr.tohoku.ac.jp（*を＠に置き換えてください）

东北大学　金属材料研究所　
准教授 木口　賢紀
Tel: 022-215-2128　Fax: 022-215-2126
E-mail: tkiguchi*imr.tohoku.ac.jp（*を＠に置き換えてください）

〈报道に関すること〉
東北大学金属材料研究所 情報企画室広報班
横山美沙
Tel: 022-215-2144　
E-mail : pro-adm*imr.tohoku.ac.jp（*を＠に置き換えてください）