51探花

东北大学大学院理学研究科?原子分子材料科学高等研究机构（奥笔滨-础滨惭搁）の田邉洋一助教、谷垣胜己教授と陈明伟教授は、高桥隆教授、阿尻雅文教授、伊藤良一准教授、菅原克明助教、北条大介助教、越野干人准教授、东京大学理学系研究科の青木秀夫教授らと协力して3次元ナノ多孔质グラフェンを用いたグラフェントランジスタの3次元集积化に成功しました。
　炭素原子一层からなる2次元シートであるグラフェンは优れたトランジスタ性能を示しますが、実用的な性能を得るには何千枚ものグラフェンを集积化し実用レベルまで性能を向上させる必要がありました。今回开発した厚みがあり多孔质を持つ3次元グラフェンをトランジスタに用いることで、集积してない2次元グラフェントランジスタの最大1000倍の电気容量を达成しました。
　近年、携帯情报端末の普及や小型化?高性能化に伴い、省电力で軽量かつ高性能なデバイスの开発が求められています。グラフェンは2次元のシート材料であり、安価で軽量かつその优れた电気特性から、トランジスタなどの半导体集积回路に必要不可欠なシリコンの代替材料として有力视されています。しかし、応用研究や商品化では、必ずしも2次元シート状であることが最适ではないことが近年分かってきました。
　今回本研究グループは、以前より研究を进めてきた３次元ナノ多孔质グラフェンを用いて电気2重层トランジスタを作製しました。そしてこのトランジスタが従来の平面构造のグラフェントランジスタと比较して100倍高い伝导度の応答と1000倍高い电気容量を示すことが分かりました。3次元ナノ多孔质グラフェンはシリコン基板に比べて表面积あたりの重さが1万倍程度軽く、高い易动度から消费电力の低减が见込まれていることから、省电力かつ軽量?高性能なデバイス开発に寄与することが期待されます。
　本研究成果は、ドイツの科学雑誌「Advanced Materials」に2016年10月11日（ドイツ時間）オンライン掲載されました。

３次元ナノ多孔质グラフェントランジスタの模型図

详细（プレスリリース本文）

问い合わせ先

＜研究に関すること＞
东北大学原子分子材料科学高等研究机构（奥笔滨-础滨惭搁）　
教授　陈明伟
TEL: 022-217-5992
E-MAIL: mwchen*wpi-aimr.tohoku.ac.jp（*を＠に置き換えてください）

东北大学大学院理学研究科
助教　田邉洋一　
TEL: 022-217-6173
E-MAIL: ytanabe*m.tohoku.ac.jp（*を＠に置き換えてください）

＜报道に関すること＞
东北大学原子分子材料科学高等研究机构（奥笔滨-础滨惭搁）
広报?アウトリーチオフィス
TEL: 022-217-6146
E-MAIL ：aimr-outreach*grp.tohoku.ac.jp（*を＠に置き換えてください）