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MnTe薄膜が超高速な結晶多形変化を示す事を発見 ― 省エネルギーかつ超高速な相変化型メモリ材料として期待 ―

【発表のポイント】

  • 5 pJ(pJは10-12 J)程度の超微小な熱エネルギーで MnTe化合物薄膜の原子にわずかなズレが生じることを発見
  • その原子のわずかなズレにより电気抵抗や光学特性が大きく変化することを実証
  • 10 ns級の相変化型デバイス材料として応用期待

【概要】

超情报社会を支える基盘として、省エネルギーなメモリ素材の开発が求められています。东北大学大学院工学研究科知能デバイス材料学専攻の森竣祐氏(博士课程后期1年、日本学术振兴会特别研究员)と须藤祐司教授らの研究グループは、惭苍罢别化合物薄膜が、ジュール加热やレーザー加热といった高速加热による多形変化により、大きな电気的?光学的特性変化(电気抵抗:2桁~3桁変化、光学反射率:~25%変化)を生じる事を见出しました。この多形変化は、ある特定の原子面が特定の方向にわずかにずれるだけで実现でき、かつ可逆的に生じるため、超省エネルギーかつ超高速な不挥発型メモリの新しい材料として期待されます。

本成果は、2020年1月3日に英国科学誌Nature Communicationsのオンライン版で公開されました。

図 惭苍罢别化合物で観察される変位型相変态による可逆的な结晶多形変化。相変态に伴って电気抵抗や光学反射率が大きく変化。

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问い合わせ先

(内容についてのお问い合わせ先)
东北大学大学院工学研究科 担当 教授 须藤祐司
電話&FAX: 022-795-7338
E-mail: ysutou*material.tohoku.ac.jp(*を@に置き換えてください)

(報道についてのお问い合わせ)
东北大学工学研究科?工学部情报広报室 担当 沼泽みどり
電話&FAX: 022-795-5898
E-mail: eng-pr*grp.tohoku.ac.jp(*を@に置き換えてください)