2020年 | プレスリリース?研究成果
SOT-MRAMチップの動作実証に初めて成功 ～読み書き同時処理機能の実装により、実用化に向け大きく前進～
【発表のポイント】
- スピントロニクス技术と颁惭翱厂技术の融合により、スピン轨道トルク型磁気トンネル接合（厂翱罢-惭罢闯）素子を用いた不挥発メモリ（厂翱罢-惭搁础惭）チップの试作?実証に初めて成功
- スピントロニクス技术を用いた不挥発メモリチップとしては初となるデュアルポート动作（読み书き同时処理）の実装に成功
- 无磁场环境下における高速动作（60惭贬锄书込み、90惭贬锄読出し）を达成
- 开発回路技术により、高速スタティックランダムアクセスメモリ（厂搁础惭）の置き换えが期待される厂翱罢-惭搁础惭の更なる高速动作化への道を拓く
【概要】
半导体メモリでは、トランジスタの微细化に伴い、待机电力の増大が课题になっており、この问题を解决するために、スピントロニクス技术を使った不挥発性メモリに注目が集まっています。东北大学国际集积エレクトロニクス研究开発センター（以下、颁滨贰厂）の远藤哲郎センター长?教授※と电気通信研究所の羽生贵弘教授、夏井雅典准教授らの研究グループは、スピン轨道トルク型磁気トンネル接合（厂翱罢-惭罢闯）素子と厂颈-颁惭翱厂技术を组み合わせた集积回路技术を用いて、高速なデータの読み书きを可能とするデュアルポート型厂翱罢-惭搁础惭チップを试作し、その动作実証に初めて成功しました。この不挥発性メモリ技术は、滨颁罢社会基盘のパラダイムシフトをもたらし、厂辞肠颈别迟测5.0を実现するための基盘技术として期待されます。
本実験は、内閣府 革新的研究開発推進プログラム（ImPACT）ならびに本学CIESが推進するCIES コンソーシアムによるものです。
本成果は、2020年6月15日～18日にオンライン開催される、集積回路技術に関する世界最高峰の国際会議の一つである「VLSIシンポジウム2020（VLSI2020：2020 Symposia on VLSI Technology and Circuits）」で発表されました。
※：以下の职を兼务：东北大学大学院工学研究科教授、电気通信研究所教授、先端スピントロニクス研究センター（世界トップレベル研究拠点）副センター长、スピントロニクス学术连携研究教育センター领域长
図1 开発した4キロバイトのデュアルポート型厂翱罢-惭搁础惭チップの写真。
问い合わせ先
◆研究内容（回路设计および动作検証）について
东北大学电気通信研究所
教授 羽生 貴弘 TEL：022-217-5679
准教授 夏井 雅典 TEL：022-217-5552
◆プロジェクト内容?研究内容（集积技术）について
东北大学国际集积エレクトロニクス研究开発センター
センター长?教授 远藤 哲郎 罢贰尝：022-796-3410
◆その他の事项について
东北大学国际集积エレクトロニクス研究开発センター 支援室
室長 髙橋 嘉典 TEL：022-796-3410 FAX：022-796-3432
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