2020年 | プレスリリース?研究成果
シンプルな窒化ガリウム素子における量子ドットを観測 GaN FETを活用した量子デバイスへ
【発表のポイント】
- シンプルな窒化ガリウム电界効果トランジスタ构造において、量子ドット※1が形成されることを电気伝导测定により観测した。
- 半导体量子ビット?センサ等の量子デバイス※2応用や、材料内のミクロな不纯物评価等への活用が期待される。
【概要】
窒化ガリウムおよびその积层构造には兴味深い电子物性があり、発光素子や大电力素子、高周波素子等で活用されるようになっています。また窒化ガリウム微细构造を用いた量子细线や量子ドット等も报告され、量子系材料としても兴味が持たれています。
東北大学電気通信研究所?大塚朋廣准教授、ローム株式会社?中原健研究開発センター長らの研究グループは、シンプルな窒化ガリウム电界効果トランジスタ构造において、量子ドットが形成されることを観測しました。精密な電気伝導測定により、トランジスタのON/OFF領域の境界において量子ドットに特徴的な電気伝導を観測し、不純物による量子ドット形成過程のしくみを解明しました。今回の成果は、半导体量子ビット?センサ等の量子デバイスへの応用や、材料内のミクロな不純物評価等への活用が期待されます。
本研究成果は2020年9月22日に、英国科学誌「Scientific Reports」に掲載されました。
図 窒化ガリウム电界効果トランジスタ构造において観测された量子ドットの电気伝导特性。
【用语解説】
※1 量子ドット
电子を微细な领域に闭じ込めたデバイス。电子の量子力学的な波の大きさと同程度の闭じ込めを実现すると、エネルギーの离散化等の量子力学的な効果が発现する。
※2 量子デバイス
量子力学的な効果を活用したデバイス。量子コンピュータに向けた量子ビットデバイスや、量子効果を利用して测定を行う量子センサデバイス等、研究が进められている。
问い合わせ先
(研究内容に関して)
东北大学电気通信研究所 量子デバイス研究室
准教授 大塚 朋广
电话 022-217-5509
贰-尘补颈濒:迟辞尘辞丑颈谤辞.辞迟蝉耻办补*谤颈别肠.迟辞丑辞办耻.补肠.箩辫(*を蔼に置き换えてください)
(报道に関して)
东北大学电気通信研究所 総务係
电话 022-217-5420
贰-尘补颈濒:蝉辞尘耻*谤颈别肠.迟辞丑辞办耻.补肠.箩辫(*を蔼に置き换えてください)