円偏光によって界面に誘起されるスピンの発見 －高速光磁気メモリデバイス実現のための新たな知見－

円偏光によって界面に誘起されるスピンの発見－高速光磁気メモリデバイス実現のための新たな知見－

2020年12月17日 11:00 | プレスリリース?研究成果

【発表のポイント】

円偏光が物质中に発生させるスピンを独自光学系により観测
强磁性体／非磁性体构造の构造非対称性が诱起するスピンの発见
光磁気メモリデバイスの开発のための新しい知见

【概要】

近年、高速かつ低消费エネルギーな光を用いた情报処理デバイスが注目を集めています。その构成要素として光で読み书き可能な磁気メモリデバイスがあり、光で高効率に微小磁石の极性を制御することがその実现に向けた重要な课题の一つです。

东北大学学际科学フロンティア研究所の饭浜贤志助教は、东北大学材料科学高等研究所の水上成美教授らと共同で、円偏光によって强磁性／非磁性界面に诱起されるスピンを発见しました。

本研究グループは、円偏光によって発生するスピンを超短光パルス磁気计测により评価しました。强磁性金属薄膜と非磁性重金属薄膜を积层した构造において円偏光が発生するスピンを评価し、薄膜の厚み依存性ならびに试料构造依存性を调べることによって、界面に光诱起されるスピンが存在することを発见しました。光磁気メモリの开発のための新しい知见を与える成果です。

本研究の内容をまとめた论文は、12月4日に、ドイツの学术誌「狈补苍辞辫丑辞迟辞苍颈肠蝉」の电子版に掲载されました。