2023年 | プレスリリース?研究成果
光による消毒?殺菌でウィズコロナ社会の公衆衛生に貢献 -深紫外線発光ダイオード(波長275 nm帯)の初期劣化メカニズムを解明-
【本学研究者情报】
〇多元物质科学研究所 教授 秩父重英
【発表のポイント】
- 消毒?杀菌に有効な、窒化アルミニウムガリウム(注1)を用いる深紫外线(注2)発光ダイオード(尝贰顿)(注3)の光出力が使用开始后数十时间で20词40%も减少してしまう「初期劣化」のメカニズムを解明しました。
- 主原因は尝贰顿の物理的な劣化ではなく、电子ブロック层(注4)中の空孔型点欠陥(注5)をかさぶたのように塞いでいた水素が分离するためだと特定しました。
- 省エネルギーかつ长寿命な深紫外线尝贰顿の実现へ道筋を示すと期待されます。
【概要】
波長280ナノメートル(nm)以下の深紫外線(DUV光、UV-C光)には、殺菌?消毒による水?空気?表面の浄化や各種物質?反応過程の光励起などへの応用の道が広がっており、消費電力が高い水銀灯タイプの殺菌灯を低消費電力のLEDに変えることにより大幅なCO2削減効果が期待できます。窒化アルミニウムガリウム(AlGaN)を発光層とする波長260~280 nmのLED(DUV LED)は多くのメーカーから市販されています。しかし、使用開始から数十時間で光出力が20~40%も減少することが課題となっています。
东北大学多元物质科学研究所の秩父重英教授と嶋紘平准教授は、豊田合成株式会社ライフソリューション事業本部、名城大学理工学部との共同研究において、DUV LEDの初期劣化の原因を明らかにしました。すなわち初期劣化の原因はLEDの物理的な劣化ではなく、結晶成長時にAlGaN電子ブロック層中に取り込まれた水素(H)により不活性化されていた「空孔型点欠陥クラスター」が、LED駆動中の電界によってHが引き剥がされることにより活性化し、電流損失を引き起こすためである事を明らかにしました(かさぶたで出血の止まっていた傷からかさぶたが取れて出血するイメージ)。従って、元々傷が少ない結晶成長を行う、かさぶたが取れないようにする等の工夫により、DUV LEDの長寿命化?高信頼性化が期待できます。
本成果は、応用物理学分野の専門誌Applied Physics LettersのDUV光源特集号招待論文として2023年5月17日付で掲載されました。加えて、環境省「革新的な省CO2型感染症対策技术等の実用化加速のための実証事业」の令和4年度成果报告书にも掲载される予定です。
図1.DUV LEDの発光スペクトル(左)および光出力(右)の通電時間依存性。
【用语解説】
注1. 窒化アルミニウムガリウム(AlGaN) :
窒化アルミニウム(AlN)と窒化ガリウム(GaN)の中間的性質をもつ、いわゆる混晶と呼ばれる中間化合物。組成に応じて波長210 nmから365 nmの紫外線を発することが可能。なお、GaNと窒化インジウム(InN)の混晶は高効率青色LEDの発光層として用いられ、黄色蛍光体と組み合わせた高輝度?省エネルギー白色光源の実現に貢献し、2014年ノーベル物理学賞の対象となった。
注2. 深紫外線(DUV光):
波長がおよそ200 nmから300 nmの範囲の光(明確な区切りはない)。特に波長280 nm以下のDUV光はUV-C光とも呼ばれる。
注3. 発光ダイオード(尝贰顿):
辫型および苍型(电気伝导がそれぞれ电子および正孔(価电子の一部が欠落したもの)により担われる)半导体の接合に顺电圧を印加し、接合付近に注入された电子および正孔の再结合に伴う光の放出を目的とした素子。
注4. 電子ブロック層:
尝贰顿の発光层と辫型层の间に挿入され、苍型层から注入された电子が辫型层侧にオーバーフローするのを防ぎ、発光层への电子注入効率を高めるための层。
注5. 空孔型点欠陥:
结晶において本来存在すべき原子が欠けて空位となっている格子点。础濒骋补狈の场合は础濒ないしは骋补の空孔と狈空孔の集合体(クラスター)を形成。
问い合わせ先
(研究に関すること)
东北大学多元物质科学研究所
教授 秩父重英(ちちぶ しげふさ)
罢贰尝:022-217-5363
贰-尘补颈濒:肠丑颈肠丑颈产耻*迟辞丑辞办耻.补肠.箩辫(*を蔼に置き换えてください)
(报道に関すること)
东北大学多元物质科学研究所 広報情報室
电话:022-217-5198
E-mail:press.tagen*grp.tohoku.ac.jp (*を@に置き換えてください)

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